Número de pieza del fabricanteIPD16CN10N G
Fabricante / MarcaInfineon Technologies
Cantidad disponible72100 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
IPD16CN10N G
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
53A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3220pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso
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Solicitud
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Repuesto
IPD16CN10N G

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Número de pieza Fabricante Descripción
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IPD100N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL_30/40V
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IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
IPD105N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
IPD105N04LGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
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IPD10N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
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