Número de pieza del fabricanteBSP297L6327HTSA1
Fabricante / MarcaInfineon Technologies
Cantidad disponible114620 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
BSP297L6327HTSA1
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
660mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.8V @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16.1nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
357pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / caja
TO-261-4, TO-261AA
Peso
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Solicitud
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Repuesto
BSP297L6327HTSA1

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