BSP129E6327T Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | BSP129E6327T |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 31490 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | BSP129E6327T.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de BSP129E6327T en 24 horas.
- Número de pieza
- BSP129E6327T
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Discontinued at -
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 240V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 350mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 0V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6 Ohm @ 350mA, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 108µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 5.7nC @ 5V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 108pF @ 25V
- Característica FET
- Depletion Mode
- Disipación de potencia (Máx)
- 1.8W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PG-SOT223-4
- Paquete / caja
- TO-261-4, TO-261AA
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- BSP129E6327T
Componentes relacionados hechos por Infineon Technologies
Palabras clave relacionadas para "BSP1"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 |
| BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 |
| BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 |
| BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 |
| BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 |
| BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 |
| BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 |