BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | BSC014N06NSATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 135820 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | BSC014N06NSATMA1.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de BSC014N06NSATMA1 en 24 horas.
- Número de pieza
- BSC014N06NSATMA1
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 60V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 30A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.45 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.8V @ 120µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 89nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 6500pF @ 30V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 2.5W (Ta), 156W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PG-TDSON-8
- Paquete / caja
- 8-PowerTDFN
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- BSC014N06NSATMA1
Componentes relacionados hechos por Infineon Technologies
Palabras clave relacionadas para "BSC01"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 |
| BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON |
| BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 |
| BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 |
| BSC011N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON |
| BSC011N03LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 |
| BSC011N03LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC014N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 |
| BSC014N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 |
| BSC014N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 |