GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | GB10SLT12-220 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | GeneSiC Semiconductor |
| Cantidad disponible | 168940 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC |
| categoria de producto | Diodos - Rectificadores - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | GB10SLT12-220.pdf |
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- Número de pieza
- GB10SLT12-220
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de diodo
- Silicon Carbide Schottky
- Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)
- 1200V
- Corriente - promedio rectificado (Io)
- 10A
- Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
- 1.8V @ 10A
- Velocidad
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 0ns
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 40µA @ 1200V
- Capacitancia @ Vr, F
- 520pF @ 1V, 1MHz
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete / caja
- TO-220-2
- Paquete de dispositivo del proveedor
- TO-220AC
- Temperatura de funcionamiento - unión
- -55°C ~ 175°C
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- GB10SLT12-220
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
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| GB10NB40L | STMicroelectronics | GB10NB40L STM IC TO-263 |
| GB10NB40LZ | STMicroelectronics | GB10NB40LZ STM IC TO-263 |
| GB10NB60 | STMicroelectronics | GB10NB60 STM IC TO263 |
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| GB10NC60K | STMicroelectronics | N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT IC |
| GB10NC60KD | STMicroelectronics | N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH IGBT IC |