Número de pieza del fabricanteEPC2110
Fabricante / MarcaEPC
Cantidad disponible122480 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
EPC2110
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
120V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
Potencia - Max
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
-
Paquete / caja
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Peso
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Repuesto
EPC2110

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