SI4831BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | SI4831BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Vishay Siliconix |
| verfügbare Anzahl | 168790 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | SI4831BDY-T1-GE3.pdf |
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für SI4831BDY-T1-GE3 innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
- SI4831BDY-T1-GE3
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Obsolete
- FET Typ
- P-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 30V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 6.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 42 mOhm @ 5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 26nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 625pF @ 15V
- FET-Eigenschaft
- Schottky Diode (Isolated)
- Verlustleistung (Max)
- 2W (Ta), 3.3W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- 8-SO
- Paket / Fall
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- SI4831BDY-T1-GE3
Verwandte Komponenten von Vishay Siliconix
.jpg "CDR34BX184AKURAB")
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "SI483"
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| SI4830-A20-GU | Silicon Labs | IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM |
| SI48308DY-T1-E3 | VISHAY | SI48308DY-T1-E3 original vishay components |
| SI4830A-T1-GE3 | VISHAY | SI4830A-T1-GE3 original vishay components |
| Si4830ADY | VISHAY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI4830ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
| SI4830ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
| SI4830ADY-T1E3 | VISHAY | SI4830ADY-T1E3 original vishay components |
| SI4830ADYT1 | VISHAY | SI4830ADYT1 original vishay components |
| SI4830ADYT1E3 | VISHAY | SI4830ADYT1E3 original vishay components |
| SI4830CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
| SI4830CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
| SI4830DT-T1-E3 | VISHAY | SI4830DT-T1-E3 original vishay components |