Hersteller-TeilenummerIRFD113
Hersteller / MarkeVishay Siliconix
verfügbare Anzahl53190 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
IRFD113
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
800mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
4-HVMDIP
Paket / Fall
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
IRFD113

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
IR VISHAY Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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IR-2 VISHAY Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
IR-21.2UH5%R36 VISHAY IR-21.2UH5%R36 original vishay components
IR-25.6UH5%R36 VISHAY IR-25.6UH5%R36 original vishay components
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IR02BH101K Vishay Dale IR-2 100 10% B08
IR02BH102K Vishay Dale IR-2 1K 10% B08