RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Verteiler
Hersteller-Teilenummer | RN1110MFV,L3F |
---|---|
Hersteller / Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
verfügbare Anzahl | 136260 Pieces |
Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
Kurze Beschreibung | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VESM |
Produktkategorie | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | RN1110MFV,L3F.pdf |
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- Artikelnummer
- RN1110MFV,L3F
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- Transistor-Typ
- NPN - Pre-Biased
- Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
- 100mA
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 4.7 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
-
- Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 120 @ 1mA, 5V
- Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 300mV @ 500µA, 5mA
- Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)
- 100nA (ICBO)
- Frequenz - Übergang
-
- Leistung max
- 150mW
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Paket / Fall
- SOT-723
- Lieferantengerätepaket
- VESM
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- RN1110MFV,L3F
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Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
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