Hersteller-TeilenummerSTB7ANM60N
Hersteller / MarkeSTMicroelectronics
verfügbare Anzahl30460 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 600V DPAK
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
STB7ANM60N
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
363pF @ 50V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
D2PAK
Paket / Fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
STB7ANM60N

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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