Hersteller-TeilenummerFJV3113RMTF
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl29390 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungTRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
ProduktkategorieTransistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
FJV3113RMTF
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung max
200mW
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket
SOT-23-3 (TO-236)
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
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