Hersteller-TeilenummerIXFN82N60Q3
Hersteller / MarkeIXYS
verfügbare Anzahl196210 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen IXFN82N60Q3.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für IXFN82N60Q3 innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
IXFN82N60Q3
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
66A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
275nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
960W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Lieferantengerätepaket
SOT-227B
Paket / Fall
SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
IXFN82N60Q3

Verwandte Komponenten von IXYS

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "IXF"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
IXF611P1 IXYS IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP
IXF611S1 IXYS IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
IXF611S1T/R IXYS IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
IXFA102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
IXFA10N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
IXFA10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
IXFA110N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
IXFA12N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
IXFA12N65X2 IXYS MOSFET N-CH
IXFA130N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IXFA130N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
IXFA130N15X3 IXYS MOSFET N-CH