Hersteller-TeilenummerIS43DR86400C-3DBLI
Hersteller / MarkeISSI, Integrated Silicon Solution Inc
verfügbare Anzahl178440 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
ProduktkategorieSpeicher
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
IS43DR86400C-3DBLI
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - DDR2
Speichergröße
512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz
333MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
15ns
Zugriffszeit
450ps
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.7 V ~ 1.9 V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
60-TFBGA
Lieferantengerätepaket
60-TWBGA (8x10.5)
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
IS43DR86400C-3DBLI

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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