IPD30N06S4L23ATMA1 Infineon Technologies Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | IPD30N06S4L23ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Infineon Technologies |
| verfügbare Anzahl | 132710 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | IPD30N06S4L23ATMA1.pdf |
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für IPD30N06S4L23ATMA1 innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
- IPD30N06S4L23ATMA1
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Discontinued at -
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 60V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 23 mOhm @ 30A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.2V @ 10µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 21nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±16V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1560pF @ 25V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 36W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- PG-TO252-3
- Paket / Fall
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- IPD30N06S4L23ATMA1
Verwandte Komponenten von Infineon Technologies
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "IPD30N"
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| IPD30N03S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N03S2L10ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S215ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S223ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S223ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S2L13ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S2L23ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |