IPB05CN10N G Infineon Technologies Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | IPB05CN10N G |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Infineon Technologies |
| verfügbare Anzahl | 184730 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | IPB05CN10N G.pdf |
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für IPB05CN10N G innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
- IPB05CN10N G
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Obsolete
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 100V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 5.1 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 181nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 12000pF @ 50V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 300W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- D²PAK (TO-263AB)
- Paket / Fall
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- IPB05CN10N G
Verwandte Komponenten von Infineon Technologies
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "IPB0"
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 |
| IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 |
| IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 |
| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 |
| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 |