Hersteller-TeilenummerBSC039N06NSATMA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl80730 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
BSC039N06NSATMA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
19A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 36µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 30V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
PG-TDSON-8
Paket / Fall
8-PowerTDFN
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
BSC039N06NSATMA1

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