Hersteller-TeilenummerEPC2010
Hersteller / MarkeEPC
verfügbare Anzahl83230 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungTRANSISTOR GAN 200V 12A BUMPED DIE
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
EPC2010
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Discontinued at -
FET Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
Die
Paket / Fall
Die
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
EPC2010

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