Hersteller-TeilenummerZXMN3G32DN8TA
Hersteller / MarkeDiodes Incorporated
verfügbare Anzahl213460 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
ZXMN3G32DN8TA
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft
Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
5.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
472pF @ 15V
Leistung max
1.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket
8-SO
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
ZXMN3G32DN8TA

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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