Hersteller-TeilenummerDMN2016LHAB-7
Hersteller / MarkeDiodes Incorporated
verfügbare Anzahl19570 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
DMN2016LHAB-7
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft
Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
7.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1550pF @ 10V
Leistung max
1.2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
6-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket
U-DFN2030-6
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
DMN2016LHAB-7

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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