CY7C11681KV18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | CY7C11681KV18-400BZXC |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Cypress Semiconductor Corp |
| verfügbare Anzahl | 145160 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| Produktkategorie | Speicher |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | CY7C11681KV18-400BZXC.pdf |
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- Artikelnummer
- CY7C11681KV18-400BZXC
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Obsolete
- Speichertyp
- Volatile
- Speicherformat
- SRAM
- Technologie
- SRAM - Synchronous, DDR II+
- Speichergröße
- 18Mb (1M x 18)
- Taktfrequenz
- 400MHz
- Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
-
- Zugriffszeit
-
- Speicherschnittstelle
- Parallel
- Spannungsversorgung
- 1.7 V ~ 1.9 V
- Betriebstemperatur
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Paket / Fall
- 165-LBGA
- Lieferantengerätepaket
- 165-FBGA (13x15)
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- CY7C11681KV18-400BZXC
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| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
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| CY7C1161V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-300BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
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| CY7C1161V18-333BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-333BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1163KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
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