CY7C1145KV18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp Verteiler
Hersteller-Teilenummer | CY7C1145KV18-400BZXC |
---|---|
Hersteller / Marke | Cypress Semiconductor Corp |
verfügbare Anzahl | 39080 Pieces |
Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
Kurze Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
Produktkategorie | Speicher |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | CY7C1145KV18-400BZXC.pdf |
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für CY7C1145KV18-400BZXC innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
- CY7C1145KV18-400BZXC
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- Speichertyp
- Volatile
- Speicherformat
- SRAM
- Technologie
- SRAM - Synchronous, QDR II+
- Speichergröße
- 18Mb (512K x 36)
- Taktfrequenz
- 400MHz
- Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
-
- Zugriffszeit
-
- Speicherschnittstelle
- Parallel
- Spannungsversorgung
- 1.7 V ~ 1.9 V
- Betriebstemperatur
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Paket / Fall
- 165-LBGA
- Lieferantengerätepaket
- 165-FBGA (13x15)
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- CY7C1145KV18-400BZXC
Verwandte Komponenten von Cypress Semiconductor Corp
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "CY7C11"
Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
---|---|---|
CY7C1141V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
CY7C1141V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
CY7C1141V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
CY7C1141V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
CY7C1141V18-300BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
CY7C1143KV18-400BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
CY7C1143KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
CY7C1143KV18-450BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
CY7C1143V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
CY7C1143V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
CY7C1143V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
CY7C1143V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |